10月16日，应我校紫外光发射材料与技术教育部重点实验室邀请， 韩国成均馆大学能源科学系Heejun Yang教授来我校进行学术交流和访问，并做了题为“Structural and electronic-state phase transition in layered materials and its neuromorphic applications”的学术讲座。
讲座主要集中于研究石墨烯/硅结的二维界面，并讨论通过激光辐射和低功函数材料接触两种方法产生的金属-半导体同质结，基于这种二维材料，研究神经形态器件。Heejun Yang教授本次讲座的相关学术内容，已经分别发表在2012年和2015年的《Science》期刊上，总被引频次达到500次以上；在最新的研究进展中，Heejun Yang教授进一步将高质量二维材料应用于类脑神经形态器件，该成果发表在2018年的《Nano Lett》。这项工作为真正的神经形态学应用开辟了实现突触计算的途径，克服了传统基于CMOS的神经形态学装置的可伸缩性和功耗的限制。
讲座结束后，Heejun Yang教授同现场师生进行了互动交流，对师生提出的问题给予了细致解答。
Heejun Yang教授于2010年获韩国首尔大学、法国巴黎第十一大学双学位博士，2010到2012担任三星电子公司研发人员，现任成均馆大学能源科学系教授，是国际青年科学家半导体物理学奖获得者、韩国青年科学家奖获得者、韩国30位年轻科学家。主要工作围绕二维材料，聚焦能源相关应用，系统开展神经形态计算器件、光热电垂直器件的研究。目前，已在《Science》《Nature Physics》 《Nano Lett》等国际学术期刊上发表了近50篇被SCI收录的学术论文，SCI引用1300次。
